公开(公告)号：CN106104790A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480074654.7

申请日：2014-10-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中冢圭祐 ,  宫川正 ,  穗谷克彦 ,  浜本毅司 ,  竹中博幸

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1695 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 根据一个实施例，一种磁阻存储器件包括：衬底，其具有包括第一方向的第一表面；以及存储元件，每个存储元件具有可切换电阻。第一列存储元件不同于相邻第二列存储元件，所述第一列存储元件沿着所述第一方向排成行，所述第二列存储元件沿着所述第一方向在所述第一方向上的存储元件位置处排成行。

公开(公告)号：CN1806294A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016152.5

申请日：2004-06-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  英芬能技术公司

Inventor： 穗谷克彦 ,  高岛大三郎 ,  诺伯特·雷姆

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器件，包括存储单元以矩阵形式排列的存储单元阵列。每个存储单元包括单元晶体管和铁电电容器。所述存储器件进一步包括在排列于存储单元阵列端部上的位线外面排列、并且与排列在存储单元端部上的位线隔开与存储单元阵列中位线之间的间距相同的间隔的第一虚拟位线，以及与所述第一虚拟位线连接并且包括单元晶体管和铁电电容器的第一虚拟存储单元，所述第一虚拟位线具有与位线相同的宽度。

公开(公告)号：CN100468566C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200480016152.5

申请日：2004-06-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  英芬能技术公司

Inventor： 穗谷克彦 ,  高岛大三郎 ,  诺伯特·雷姆

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器件，包括存储单元以矩阵形式排列的存储单元阵列。每个存储单元包括单元晶体管和铁电电容器。所述存储器件进一步包括在排列于存储单元阵列端部上的位线外面排列、并且与排列在存储单元端部上的位线隔开与存储单元阵列中位线之间的间距相同的间隔的第一虚拟位线，以及与所述第一虚拟位线连接并且包括单元晶体管和铁电电容器的第一虚拟存储单元，所述第一虚拟位线具有与位线相同的宽度。

公开(公告)号：CN103946817B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280056384.8

申请日：2012-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 片山明 ,  穗谷克彦 ,  龙圭一 ,  高木康晴

IPC: G06F12/00 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C14/0036 ,  G11C5/147 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697

Abstract: 一种存储器包括基元阵列，所述基元阵列包括非易失性存储器基元。功率发生器产生用于驱动所述基元阵列的电源电压。接收器接收命令和地址。控制器控制所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器的激活状态。在激活模式下，所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成激活状态。在第一省电模式下，所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成休止状态。在第二省电模式下，所述基元阵列和所述功率发生器被转变成激活状态，并且所述接收器被转变成休止状态。在第三省电模式下，所述功率发生器的至少一部分被转变成激活状态，并且所述基元阵列和所述接收器被转变成休止状态。

公开(公告)号：CN105556608A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480047769.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫川正 ,  穗谷克彦 ,  饭冢真理子 ,  中泽崇 ,  竹中博幸

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C7/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  H01L43/08

Abstract: 一种半导体存储装置包括：基元阵列(11)，其包括在以第一角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第一工作区(11中的AA)；以及位线控制器(17B1)，其包括在以第二角度与第一方向相交的方向上延伸的多个第二工作区(17B1中的AA)。

公开(公告)号：CN103946817A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056384.8

申请日：2012-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 片山明 ,  穗谷克彦 ,  龙圭一 ,  高木康晴

IPC: G06F12/00 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C14/0036 ,  G11C5/147 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697

Abstract: 一种存储器包括基元阵列，所述基元阵列包括非易失性存储器基元。功率发生器产生用于驱动所述基元阵列的电源电压。接收器接收命令和地址。控制器控制所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器的激活状态。在激活模式下，所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成激活状态。在第一省电模式下，所述基元阵列、所述功率发生器和所述接收器被转变成休止状态。在第二省电模式下，所述基元阵列和所述功率发生器被转变成激活状态，并且所述接收器被转变成休止状态。在第三省电模式下，所述功率发生器的至少一部分被转变成激活状态，并且所述基元阵列和所述接收器被转变成休止状态。