公开(公告)号：CN105990437A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553386.3

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泉泽优 ,  石桥弘 ,  大田浩史 ,  佐伯秀一 ,  奥畠隆嗣 ,  小野升太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/402

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1电极、第1绝缘层、及第2电极。第1半导体区域具有第1区域与第2区域。第2区域设置于第1区域的周围。第2半导体区域设置于第1半导体区域上。第3半导体区域设置于第1半导体区域上。第1电极设置于第3半导体区域上。第1电极与第3半导体区域电性连接。第1绝缘层设置于第1电极上。第2电极设置于第2半导体区域上。第2电极与第2半导体区域电性连接。第2电极的一部分位于第1绝缘层上。