公开(公告)号：CN106449751A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610111787.8

申请日：2016-02-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  新井雅俊 ,  加藤浩朗 ,  胜田浩明 ,  吉冈千香子 ,  的场理惠子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、栅极布线、第2绝缘层以及第1电极。栅极布线具有第1部分和第2部分。第1部分在第3方向上延伸。第2部分被第1部分包围。第2部分在第3方向上延伸。第2部分在第1方向上的厚度比第1部分在第1方向上的厚度薄。第2绝缘层设在第2区域之上。第2绝缘层将第1部分覆盖。第1电极设在栅极布线之上以及第2绝缘层之上。第1电极与栅极布线相接。