公开(公告)号：CN1132934A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95119213.2

申请日：1995-11-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细美英一 ,  田洼知章 ,  田泽浩 ,  柴崎康司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种新构造的凸极的半导体装置，该装置的内引线表面的镀锡层与凸出电极进行反应所形成的Au-Sn等的合金不会达到钝化开口部分的底面。钝化开口部分9的中心被配置为比凸出电极5的中心更靠近半导体基板中心。更靠近内引线的顶端而远离外引线。通过采用该办法，就可以防止因内引线的镀锡层与凸出电极的金属发生反应而生成的Au-Sn等的合金达到钝化开口部分的底部而无需改变凸出电极5的高度或钝化开口部分9的尺寸。

公开(公告)号：CN1054237C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN95119213.2

申请日：1995-11-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细美英一 ,  田洼知章 ,  田泽浩 ,  柴崎康司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种新构造的凸极的半导体器件，该装置的内引线表面的镀锡层与凸出电极进行反应所形成的Au-sn等的合金不会达到钝化开口部分的底面。钝化开口部分9的中心被配置为比凸出电极5的中心更靠近半导体衬底中心。更靠近内引线的顶端而远离外引线。通过采用该办法，就可以防止因内引线的镀锡层与凸出电极的金属发生反应而生成的Au-Sn等的合金达到钝化开口部分的底部而无需改变凸出电极5的高度或钝化开口部分9的尺寸。