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公开(公告)号：CN119822852A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510170591.5
申请日：2023-03-03
IPC: C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。
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公开(公告)号：CN117794883A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280053227.5
申请日：2022-08-30
IPC: C04B35/587 , H05K1/03
Abstract: 实施方式的高导热性氮化硅烧结体，具备氮化硅晶粒及晶界相，所述氮化硅烧结体的导热率为80W/(m·K)以上。任意截面中单位面积20μm×20μm上存在的所述氮化硅晶粒的固溶氧量的平均值为0.2wt％以下。任意截面中单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长径的平均值为1μm以上10μm以下。所述单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长宽比的平均值为2以上10以下。
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公开(公告)号：CN107405831B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201580077819.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B29C64/153 , B22F3/105 , B33Y10/00
Abstract: 本发明的实施方案涉及三维制造方法。为了提供能增加三维制造物体的密度和强度，并且能够由两种或更多种材料的混合物制造具有恒定质量的三维物体的三维制造方法，根据一个实施方案，三维制造方法包括：形成和添加二次颗粒的层以制造三维物体，所述二次颗粒是通过对初级颗粒进行造粒而得到的；以及加热所述三维物体以生产烧结体。
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公开(公告)号：CN105680006B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510882127.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供高容量及循环特性优异的活性物质、非水电解质电池用电极、非水电解质二次电池及电池包。实施方式的非水电解质电池用活性物质是包括碳质物和分散于所述碳质物中的含硅粒子的至少2种的复合体，所述含硅粒子具备硅、硅合金及硅氧化物中的至少1种，在氩离子激光拉曼光谱中，在1575cm‑1以上且1625cm‑1以下的范围具有最大强度I1的峰的半值幅(ΔG)为100cm‑1以上且150cm‑1以下，在500cm‑1以上且550cm‑1以下的范围具有最大强度I2的峰相对于所述在1575cm‑1以上且1625cm‑1以下的范围具有最大强度I1的峰的强度比(I2/I1)为0.25以上且0.50以下。
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公开(公告)号：CN119301092A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043996.1
申请日：2023-08-31
IPC: C04B35/596 , C04B35/64 , F16C33/24 , F16C33/32 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种可进行低温烧成且强度高的氮化硅烧结体。实施方式涉及的氮化硅烧结体以氧化物换算计含有0.1质量％以上且10质量％以下的锆。在对所述氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析(2θ)时，在将基于α型氮化硅晶粒在35.3°±0.2°下检测到的最强峰强度设定为I35.3、将基于β型氮化硅晶粒在27.0°±0.2°下检测到的最强峰设定为I27.0、将基于氮化锆在33.9°±0.2°下检测到的最强峰设定为I33.9的情况下，满足0.01≤I35.3/I27.0≤0.5及0≤I33.9/I27.0≤1.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117998732A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410253704.3
申请日：2019-08-05
IPC: H05K1/03 , C04B35/584 , H01L23/13
Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。
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公开(公告)号：CN1812006A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510137369.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/22 , H01F1/33 , H01F17/0006 , H01F2017/0066 , Y10T428/256 , Y10T428/32
Abstract: 提供一种能够在10MHz以上，特别是100MHz以上的高频区内使用的、具有高热稳定性的高频磁性材料，以及能够实现高生产效率的高频磁性材料的制造方法。该高频磁性材料包括由Fe和Co中一个构成的金属粒子或以Fe和Co的至少一个为基础的合金粒子、和氧化物相。氧化物相包含由难还原性金属氧化物构成的主相和比难还原性金属氧化物的价数大的金属氧化物，价数大的金属氧化物固溶于主相中。
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公开(公告)号：CN1076315C
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN97109637.6
申请日：1997-02-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种电梯紧急停止装置用制动瓦，具有超过1000℃的耐热性同时即使在高速、高应力下也具有高的摩擦系数、并且具有相对导轨的良好耐烧结性。该电梯紧急停止装置用制动瓦具有制动本体及在所述本体的制动面侧以从其面中突出的方式埋设的多个制动片，其突出部形成圆柱状或棱状。所述制动片是将粒径为10-150μm的从碳化物、氮化物及硼化物中所选择的至少一种陶瓷粒子分散到从氮化硅、碳化硅及硅铝氧氮耐热陶瓷中所选择的陶瓷母材中的复合材料构成。
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公开(公告)号：CN117083256B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380010379.1
申请日：2023-03-03
IPC: C04B35/587 , F16C33/34 , F16C33/32
Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。
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公开(公告)号：CN117897254A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280057606.1
申请日：2022-09-09
IPC: B23K20/12
Abstract: 具有肩部和探针部的摩擦搅拌接合用工具构件在探针部的侧周面具备具有山部和谷部的螺旋状的凹凸部。而且，该摩擦搅拌接合用工具构件中，在通过探针部的旋转轴的截面中，谷部中沿着旋转轴的平行轴而相邻的谷部部分的面积的差率为5％以上且30％以下的范围内。此外，山部中沿着探针部的旋转轴的平行轴而相邻的山部部分的间距之差优选为0.01mm以上且0.2mm以下的范围内。此外，谷部中沿着探针部的旋转轴的平行轴而相邻的谷部部分的深度之差优选为0.01mm以上且0.1mm以下的范围内。
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