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公开(公告)号：CN1577082A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062569.7
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/40
Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括：准备多个加热处理装置的工序；用所准备的各个加热处理装置，用多个设定温度，对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序；在上述加热处理后进行冷却处理的工序；在上述冷却处理后进行显影处理的工序；在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中，测定曝光量监视图形的状态的工序；根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态，对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序；根据所求得的关系，对各个加热处理装置进行修正，使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。
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公开(公告)号：CN1447194A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121354.5
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1383187A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121803.X
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F1/68 , G03F7/70616 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , G03F7/70683
Abstract: 一种半导体器件制造方法,在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后,把曝光量及聚焦位置设定为预定值,使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩模,对抗蚀剂膜进行曝光处理,在其上形成与监视标记相对应的潜影,再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后,进行显影处理,在曝光处理后,根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果,求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方,并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方,根据所算出的差,来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。
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公开(公告)号：CN100582934C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610002085.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN100462667C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410062471.1
申请日：2004-07-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/44 , G03F7/70525 , G03F7/70616 , G03F7/70641
Abstract: 提供一种原版，可大幅度缩短半导体器件制造工序中光学系统校正所需的时间。原版包括：掩模衬底(1)；配置在掩模衬底(1)上的遮光膜(17)；设置于遮光膜(17)中的检查图形用开口(56a、56b、56c)及器件图形用开口(57)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的包括分别设置在掩模衬底(1)上的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)的检查图形(20a、20b、20c)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的与掩模衬底(1)上检查图形(20a、20b、20c)分别相邻设置的对准标记(26a、26b、26c)；在器件图形用开口(57)中露出的设于掩模衬底(1)上的器件图形(15a、15b、15c)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1808270A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610002085.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1416019A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02146195.3
申请日：2002-11-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/7026 , G03B27/42 , G03F7/70258 , G03F7/703 , G03F9/7034
Abstract: 在扫描曝光时，校正缝隙分量的弯曲分量，以提高成品率。本发明的曝光方法包括：测定所述曝光光不照射的计测区域中的与所述光学系统的光轴方向有关的位置分布的步骤(S103)；将测定的位置分布分离成倾斜分量和2次以上的分量的步骤(S104)；在所述曝光光照射所述计测区域时，根据分离的倾斜分量，来调整被曝光区域面的与所述光学系统的光轴方向有关的位置，同时根据分离的2次以上的分量，来校正所述光学系统的成像特性的步骤(S107)。
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公开(公告)号：CN1237574C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02121803.X
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F1/68 , G03F7/70616 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , G03F7/70683
Abstract: 一种半导体器件制造方法，在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后，把曝光量及聚焦位置设定为预定值，使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩，对抗蚀剂膜进行曝光处理，在其上形成与监视标记相对应的潜影，再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后，进行显影处理，在曝光处理后，根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果，求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方，并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方，根据所算出的差，来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。
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公开(公告)号：CN1235088C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03148293.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。
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公开(公告)号：CN1576778A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062471.1
申请日：2004-07-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/44 , G03F7/70525 , G03F7/70616 , G03F7/70641
Abstract: 提供一种原版及制造方法、曝光装置检查系统、检查方法，可大幅度缩短半导体器件制造工序中光学系统校正所需的时间。原版包括：掩模衬底(1)；配置在掩模衬底(1)上的遮光膜(17)；设置于遮光膜(17)中的检查图形用开口(56a、56b、56c)及器件图形用开口(57)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的包括分别设置在掩模衬底(1)上的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)的检查图形(20a、20b、20c)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的与掩模衬底(1)上检查图形(20a、20b、20c)分别相邻设置的对准标记(26a、26b、26c)；在器件图形用开口(57)中露出的设于掩模衬底(1)上的器件图形(15a、15b、15c)。
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