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公开(公告)号：CN1397955A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126251.9
申请日：2002-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/409 , G11C16/06 , G11C7/00
CPC classification number: G11C16/105 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/102 , G11C16/3431 , H01L27/115
Abstract: 一种具有页复制功能的半导体存储装置，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页部分的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页部分的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。
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公开(公告)号：CN1838324B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200610075132.6
申请日：2002-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/105 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/102 , G11C16/3431 , H01L27/115
Abstract: 一种具有页复制功能的半导体存储装置，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页大小的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页大小的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。
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公开(公告)号：CN1838324A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610075132.6
申请日：2002-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/105 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/102 , G11C16/3431 , H01L27/115
Abstract: 一种具有页复制功能的半导体存储装置，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页大小的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页大小的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。
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公开(公告)号：CN1257510C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN02126251.9
申请日：2002-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/409 , G11C16/06 , G11C7/00
CPC classification number: G11C16/105 , G11C7/1006 , G11C7/1021 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/102 , G11C16/3431 , H01L27/115
Abstract: 提供一种具有页复制功能的半导体存储装置，以在页复制时只改写一页数据中的一部分数据。为此，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页大小的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页大小的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。
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