公开(公告)号：CN1284208C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410028252.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原成太 ,  角田弘昭 ,  柴克育

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L29/6684

Abstract: 本发明的课题是抑制使晶体管工作的阈值的变动。半导体器件的制造方法具备形成布线层10的工序和在等离子体状态中的氢小于等于全部气体成分中的1%的条件下，在布线层10上形成第1绝缘膜20的工序。

公开(公告)号：CN100514653C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN03106687.9

申请日：2003-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 角田弘昭 ,  小林英行 ,  姬野嘉朗 ,  柴克育 ,  福原成太

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，该非易失性半导体存储装置在具有形成于半导体衬底上的栅绝缘膜、形成于上述栅绝缘膜上的浮置栅、形成于上述浮置栅上的控制栅、邻接上述栅绝缘膜而形成在上述半导体衬底中的源极区域和漏极区域、以及连接上述漏极区域的接触层的存储元件的上层上具备添加有Al或Ti的硅氧化膜。该非易失性半导体存储装置可以进一步抑制氢气对存储元件的侵入，可以提高数据保持特性。

公开(公告)号：CN1531026A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028252.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原成太 ,  角田弘昭 ,  柴克育

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L29/6684

Abstract: 本发明的课题是抑制使晶体管工作的阈值的变动。半导体器件的制造方法具备形成布线层10的工序和在等离子体状态中的氢小于等于全部气体成分中的1％的条件下，在布线层10上形成第1绝缘膜20的工序。

公开(公告)号：CN1449044A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03106687.9

申请日：2003-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 角田弘昭 ,  小林英行 ,  姬野嘉朗 ,  柴克育 ,  福原成太

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 提供一种可以提高数据保持特性的非易失性半导体存储装置及其制造方法。在存储元件的上层，具备包含以下群中的至少1个以上的层：添加有氮的硅氧化膜；添加有Al的硅氧化膜；Al的氧化物；添加有Ti的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种中的2种的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种的硅氧化膜；Ti的氧化物；Ti和Al的氧化物；由Ti、Ni、Co、Zr、Cu、Pt、V、Mg、U、Nd、La、Sc金属群中之一种组成的单体金属层；由包含这些金属群中2个以上的金属占全体的至少50％以上的二元以上的合金组成的层；由该合金的氮化物组成的层；或者由该合金的氢化物组成的层(例如Al2O3膜10)。