公开(公告)号：CN104282654A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310573261.8

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小柳胜 ,  末松靖弘

IPC: H01L23/50 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/10 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据实施方式，具备形成于半导体芯片的晶体管、连接于所述晶体管的扩散层并引出到所述扩散层之外的下层布线和从形成于所述半导体芯片上的衬垫电极引出并连接于所述下层布线且电阻率比所述下层布线小的上层布线。