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公开(公告)号：CN101047223A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610131001.5
申请日：2006-12-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种由以下组成式(Tia1Zrb1Hfc1)xAyB100－x－y表示的热电材料，其中元素A是至少一种选自Ni和Co的元素，元素B是至少一种选自Sn和Sb的元素，0≤a1≤1，0≤b1≤1，0≤c1≤1，和a1+b1+c1＝1成立，且30≤x≤35和30≤y≤35成立，且该热电材料包含具有MgAgAs型晶体结构的相作为主相，在该热电材料中，热电材料的密度大于真实密度的99.0％。当该热电材料用于p型元件和n型元件中的一种或两种时，能够实现具有高的热电转换性能的热电转换器件。
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公开(公告)号：CN100414731C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510118608.5
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种热电直接变换装置，其形成有多个热电直接变换半导体对，其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体；多个高温电极和多个低温电极，其中每个高温电极和低温电极电连接所述p型半导体和所述n型半导体；高温绝缘板和低温绝缘板，其中每个高温绝缘板和低温绝缘板分别通过所述多个高温电极或所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接；至少一个扩散阻挡层，其位于所述高温电极或低温电极与所述热电直接变换半导体对之间，且整个装置气密密封在含有真空或惰性气体气氛的气密壳内，从而防止了电极与半导体对之间的扩散，以提供一种在长时间内表现出优异的发电性能的热电变换装置。
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公开(公告)号：CN100585896C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610110939.9
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热电装置，包括金属基板(2)、装配在金属基板(2)表面中央部分上的热电元件(3)、用于遮盖热电元件(3)的上表面和侧面的金属盖(4)以及设置到金属基板(2)表面的外围部分以气密封金属基板(2)和盖(4)之间的空间的接合金属构件(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937273A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610110939.9
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热电装置，包括金属基板(2)、装配在金属基板(2)表面中央部分上的热电元件(3)、用于遮盖热电元件(3)的上表面和侧面的金属盖(4)以及设置到金属基板(2)表面的外围部分以气密封金属基板(2)和盖(4)之间的空间的接合金属构件(5)。
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公开(公告)号：CN101515628B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910128927.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L35/32
Abstract: 提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热电装置，包括金属基板(2)、装配在金属基板(2)表面中央部分上的热电元件(3)、用于遮盖热电元件(3)的上表面和侧面的金属盖(4)以及设置到金属基板(2)表面的外围部分以气密封金属基板(2)和盖(4)之间的空间的接合金属构件(5)。
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公开(公告)号：CN101515628A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910128927.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L35/32
Abstract: 提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热电装置，包括金属基板(2)、装配在金属基板(2)表面中央部分上的热电元件(3)、用于遮盖热电元件(3)的上表面和侧面的金属盖(4)以及设置到金属基板(2)表面的外围部分以气密封金属基板(2)和盖(4)之间的空间的接合金属构件(5)。
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公开(公告)号：CN1783526A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510118608.5
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种热电直接变换装置，其形成有多个热电直接变换半导体对，其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体；多个高温电极和多个低温电极，其中每个高温电极和低温电极电连接所述p型半导体和所述n型半导体；高温绝缘板和低温绝缘板，其中每个高温绝缘板和低温绝缘板分别通过所述多个高温电极或所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接；至少一个扩散阻挡层，其位于所述高温电极或低温电极与所述热电直接变换半导体对之间，且整个装置气密密封在含有真空或惰性气体气氛的气密壳内，从而防止了电极与半导体对之间的扩散，以提供一种在长时间内表现出优异的发电性能的热电变换装置。
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