公开(公告)号：CN106486379A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610090999.2

申请日：2016-02-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐久间智教 ,  佐藤慎哉 ,  横山升 ,  岛田视宏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置的制造方法具有：形成第1开口的步骤；离子注入第2导电型的杂质的步骤；及形成第2导电型的第3半导体层的步骤。在形成所述第1开口的步骤中，在设置在第1导电型的第1半导体层之上的第1导电型的第2半导体层形成第1开口，该第1开口沿第2方向延伸，且在第3方向上，上部的尺寸比下部的尺寸长。在所述离子注入的步骤中，对所述第1开口的所述下部的侧面离子注入第2导电型的杂质。在形成所述第3半导体层的步骤中，在所述第1开口的内部形成所述第3半导体层。