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发明公开
图形的制备方法及半导体器件的制造方法无效

公开(公告)号：CN1497672A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03134814.9

申请日：2003-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酒井隆行 , 大岩德久 , 岐部正信

IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/00 , G01B11/22

CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/28123 , H01L21/31138

Abstract: 一种图形的制备方法，包括：在下层的至少一部分上绘制掩模图形；蚀刻部分掩模图形；将入射光照射在进行蚀刻的掩模图形上，当入射光透过掩模图形之后检测反射入射光产生的反射光；得到反射的干涉光谱；以及使用反射的干涉光谱的数据计算掩模图形的图形宽度，反射的干涉光谱的波长范围不小于两倍的掩模图形的间距。

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