公开(公告)号：CN1501451A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310103596.X

申请日：2003-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野高稔 ,  水野直人 ,  竖山佳邦 ,  平野智之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16

CPC classification number: H01L21/76229 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，具备下述步骤：使用包含研磨粒子和表面活性剂的第1研磨液在具有凹凸面的被研磨体的表面上进行第1化学机械研磨；使用包含研磨粒子且具有比第1研磨液低的表面活性剂浓度的第2研磨液在被进行了第1化学机械研磨的被研磨体的表面上进行第2化学机械研磨；以及在使被研磨体的凹凸面平坦化了时，从第1化学机械研磨转换为第2化学机械研磨。

公开(公告)号：CN1322555C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200310103596.X

申请日：2003-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野高稔 ,  水野直人 ,  竖山佳邦 ,  平野智之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16

CPC classification number: H01L21/76229 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，具备下述步骤：使用包含研磨粒子和表面活性剂的第1研磨液在具有凹凸面的被研磨体的表面上进行第1化学机械研磨；使用包含研磨粒子且具有比第1研磨液低的表面活性剂浓度的第2研磨液在被进行了第1化学机械研磨的被研磨体的表面上进行第2化学机械研磨；以及在使被研磨体的凹凸面平坦化了时，从第1化学机械研磨转换为第2化学机械研磨。