公开(公告)号：CN102280444A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110071944.4

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平早水启史 ,  出口公彦 ,  小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置，具备有选择地设置在半导体层表面的第1基极区域和第2基极区域；设置在各个基极区域表面的第1源极区域与第2源极区域和背栅区域；由第1基极区域与第2基极区域夹持的漂移区域；从漂移区域的表面到内部地设置、彼此对置的第1绝缘体层和第2绝缘体层；和由第1绝缘体层与第2绝缘体层夹持地设置在漂移区域表面的第2导电型的漏极区域，由第1基极区域与第1绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离，比由第2基极区域与第2绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离短。

公开(公告)号：CN102280444B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201110071944.4

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平早水启史 ,  出口公彦 ,  小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置，具备有选择地设置在半导体层表面的第1基极区域和第2基极区域；设置在各个基极区域表面的第1源极区域与第2源极区域和背栅区域；由第1基极区域与第2基极区域夹持的漂移区域；从漂移区域的表面到内部地设置、彼此对置的第1绝缘体层和第2绝缘体层；和由第1绝缘体层与第2绝缘体层夹持地设置在漂移区域表面的第2导电型的漏极区域，由第1基极区域与第1绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离，比由第2基极区域与第2绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离短。

公开(公告)号：CN102201444B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110072003.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备：第2导电型的基底区域，设有第1导电型的源极区域；第1导电型的漂移区域，邻接于上述基底区域；绝缘体层，从上述漂移区域的表面到内部地进行设置；第1导电型的漏极区域，对置于上述源极区域，夹着上述基底区域及上述绝缘体层而设在上述漂移区域的表面；栅极氧化膜，设在上述基底区域的表面；栅极电极，设在上述栅极氧化膜上；第1主电极，与上述源极区域连接；以及第2主电极，与上述漏极区域连接。上述源极区域和上述漏极区域从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，至少以线状大致平行地延伸，由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的部分的上述漂移区域的长度为，与相对于上述大致平行延伸的方向大致垂直的方向的长度相比，上述大致平行延伸的方向的长度较短。

公开(公告)号：CN102201444A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110072003.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备：第2导电型的基底区域，设有第1导电型的源极区域；第1导电型的漂移区域，邻接于上述基底区域；绝缘体层，从上述漂移区域的表面到内部地进行设置；第1导电型的漏极区域，对置于上述源极区域，夹着上述基底区域及上述绝缘体层而设在上述漂移区域的表面；栅极氧化膜，设在上述基底区域的表面；栅极电极，设在上述栅极氧化膜上；第1主电极，与上述源极区域连接；以及第2主电极，与上述漏极区域连接。上述源极区域和上述漏极区域从相对于上述基底区域的表面垂直的方向观察，至少以线状大致平行地延伸，由上述绝缘体层和上述基底区域夹着的部分的上述漂移区域的长度为，与相对于上述大致平行延伸的方向大致垂直的方向的长度相比，上述大致平行延伸的方向的长度较短。