公开(公告)号：CN102280444A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110071944.4

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平早水启史 ,  出口公彦 ,  小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置，具备有选择地设置在半导体层表面的第1基极区域和第2基极区域；设置在各个基极区域表面的第1源极区域与第2源极区域和背栅区域；由第1基极区域与第2基极区域夹持的漂移区域；从漂移区域的表面到内部地设置、彼此对置的第1绝缘体层和第2绝缘体层；和由第1绝缘体层与第2绝缘体层夹持地设置在漂移区域表面的第2导电型的漏极区域，由第1基极区域与第1绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离，比由第2基极区域与第2绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离短。

公开(公告)号：CN102280444B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201110071944.4

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平早水启史 ,  出口公彦 ,  小畠万司 ,  末代知子

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置，具备有选择地设置在半导体层表面的第1基极区域和第2基极区域；设置在各个基极区域表面的第1源极区域与第2源极区域和背栅区域；由第1基极区域与第2基极区域夹持的漂移区域；从漂移区域的表面到内部地设置、彼此对置的第1绝缘体层和第2绝缘体层；和由第1绝缘体层与第2绝缘体层夹持地设置在漂移区域表面的第2导电型的漏极区域，由第1基极区域与第1绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离，比由第2基极区域与第2绝缘体层夹持的漂移区域的部分的距离短。