公开(公告)号：CN103403807B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280010795.3

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高岛章 ,  宫川英典 ,  藤井章辅 ,  松下大介

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77

Abstract: 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。

公开(公告)号：CN103403867A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010756.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫川英典 ,  高岛章 ,  藤井章辅

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148

Abstract: 根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。

公开(公告)号：CN104064672A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310406691.0

申请日：2013-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石川贵之 ,  藤井章辅 ,  宫川英典 ,  田中洋毅 ,  斋藤真澄

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266

Abstract: 根据实施例的电阻型随机存取存储装置包括第一电极、第二电极以及被置于所述第一电极与第二电极之间的可变电阻部分。该可变电阻部分包括第一绝缘层、第二绝缘层，以及晶层，所述晶层被置于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率、并且是结晶体。

公开(公告)号：CN103403867B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280010756.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫川英典 ,  高岛章 ,  藤井章辅

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148

Abstract: 根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。

公开(公告)号：CN103403807A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010795.3

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高岛章 ,  宫川英典 ,  藤井章辅 ,  松下大介

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/77

Abstract: 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。