公开(公告)号：CN100379002C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510077953.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奈良明子 ,  小池正浩 ,  三谷祐一郎

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包括：栅电极部分，该栅电极部分由通过隧道绝缘膜在第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的浮栅电极、在浮栅电极上形成并由两种或更多种类型的高介电材料形成的三层或更多层的层叠结构膜形成的电极间绝缘膜、和通过电极间绝缘膜在浮栅电极上形成的控制栅电极构成；和第二导电类型的源区和漏区，该源区和漏区在衬底的主面上形成，使得在源区和漏区之间配置栅电极部分。

公开(公告)号：CN1713386A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077953.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奈良明子 ,  小池正浩 ,  三谷祐一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7883

Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包括：栅电极部分，该栅电极部分由通过隧道绝缘膜在第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的浮栅电极、在浮栅电极上形成并由两种或更多种类型的高介电材料形成的三层或更多层的层叠结构膜形成的电极间绝缘膜、和通过电极间绝缘膜在浮栅电极上形成的控制栅电极构成；和第二导电类型的源区和漏区，该源区和漏区在衬底的主面上形成，使得在源区和漏区之间配置栅电极部分。