公开(公告)号：CN104916690A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410379797.0

申请日：2014-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 古川大 ,  吉桥英生

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供实现低成本且低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1电极与上述第2电极之间；第1导电型的第2半导体区域，设置于上述第1电极与上述第1半导体区域之间，杂质浓度比上述第1半导体区域高，并具有选择性设置的硅化物层；以及第2导电型的第3半导体区域，设置于上述第1半导体区域与上述第2电极之间。

公开(公告)号：CN118630068A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410028944.3

申请日：2024-01-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 高木繁昭 ,  吉桥英生 ,  蔵口友美 ,  平田直文 ,  新垣耀平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置在第一电极与第二电极之间，包含n型的第一碳化硅区域；氮化钛层，设置在第一电极与第一碳化硅区域之间；以及中间层，设置在氮化钛层与第一碳化硅区域之间，包含氮化硅。