公开(公告)号：CN106486530B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201610111559.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉村尚弥 ,  二宫英彰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；栅极电极；栅极绝缘层；第二导电型的第四半导体区域；第一导电部；及第一绝缘层。栅极电极在与从第一半导体区域向第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域并列。第一导电部的至少一部分被第四半导体区域所包围。第一绝缘层的至少一部分设置在第一导电部与第四半导体区域之间。第一绝缘层的在第一方向上位于第一导电部与第一半导体区域之间的部分的厚度，比栅极绝缘层的膜厚薄。

公开(公告)号：CN106486530A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610111559.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉村尚弥 ,  二宫英彰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有：第一导电形的第一半导体区域；第二导电形的第二半导体区域；第一导电形的第三半导体区域；栅极电极；栅极绝缘层；第二导电形的第四半导体区域；第一导电部；及第一绝缘层。栅极电极在与从第一半导体区域向第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域并列。第一导电部的至少一部分被第四半导体区域所包围。第一绝缘层的至少一部分设置在第一导电部与第四半导体区域之间。第一绝缘层的在第一方向上位于第一导电部与第一半导体区域之间的部分的厚度，比栅极绝缘层的膜厚薄。