公开(公告)号：CN1181552C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN01133826.1

申请日：2001-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井法晴 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  上垣内岳司

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/76 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/7887

Abstract: 选择门区的半导体装置设有：半导体层；形成于半导体层上的第1绝缘膜；形成于第1绝缘膜上的第1电极层；由贯通第1电极层及第1绝缘膜直达半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区，元件分离区分离了元件区，与第1电极层自动匹配地形成元件分离区；形成于第1电极层及元件分离区上的第2绝缘膜，第2绝缘膜具有使第1电极层表面露出的开口部；形成于第2绝缘膜上及第1电极层中被露出的表面上的第2电极层，第2电极层通过开口部与第1电极层电连接。

公开(公告)号：CN1354521A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01133826.1

申请日：2001-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井法晴 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  上垣内岳司

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/76 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/7887

Abstract: 选择门区的半导体装置设有:半导体层;形成于半导体层上的第1绝缘膜;形成于第1绝缘膜上的第1电极层;由贯通第1电极层及第1绝缘膜直达半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区,元件分离区分离了元件区,与第1电极层自动匹配地形成元件分离区;形成于第1电极层及元件分离区上的第2绝缘膜,第2绝缘膜具有使第1电极层表面露出的开口部;形成于第2绝缘膜上及第1电极层中被露出的表面上的第2电极层,第2电极层通过开口部与第1电极层电连接。