公开(公告)号：CN119562668A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411120292.2

申请日：2024-08-15

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 中村友树 ,  北川睦 ,  岛健悟 ,  足立和也

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/852 ,  H10H20/857

Abstract: 本发明提供一种发光二极管元件的转印方法以及转印构件，将形成于不同的多个LED晶片的LED元件均匀地一并转印。LED元件的转印方法，包括：在支撑板形成包含树脂材料的第一状态的树脂层的步骤；通过将所述树脂层按压至在第一面设置有多个LED元件的LED晶片的与所述第一面为相反侧的第二面，而将至少一个以上的所述LED晶片埋入至所述树脂层的步骤；使所述树脂层从所述第一状态向粘度比所述第一状态高且杨氏模量比所述LED晶片的内部应力高的第二状态迁移的步骤；以及将埋入至所述树脂层的所述LED晶片按压至与所述多个LED元件对应地设置有具有凸状的多个电极的电路基板，由此将设置于所述LED晶片的所述多个LED元件与所述多个电极连接的步骤。

公开(公告)号：CN114556586A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080073210.7

申请日：2020-10-27

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 岛健悟 ,  片冈良一 ,  足立和也 ,  袴田悠斗

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路。本发明提供一种半导体集成电路，其包括：第一导电型的基板；埋入绝缘膜，设置在基板上；第一导电型的活性层，设置在埋入绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，形成在活性层内；第二导电型的电场缓和层，包围第一杂质区域并形成在活性层内；第一导电型的第二杂质区域，包围电场缓和层并形成在活性层内；以及槽，包围第二杂质区域地形成，并到达埋入绝缘膜。

公开(公告)号：CN108573970A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810063214.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 副岛成雅 ,  铃木隆司 ,  岛健悟 ,  蟹江阳介 ,  足立和也

IPC: H01L27/08

Abstract: 本发明提供保护装置。在形成了保护元件的半导体基板的绝缘层有效利用空间地实现低通滤波器用的无源元件。以绝缘层(30)覆盖形成了保护元件(10)的半导体基板(20)的表面。在绝缘层内设置有导电层(7)。由细长导体(76)制成的线圈(6)在导电层的上方且与导电层平行的面内二维地扩展。输入端子(3)、输出端子(4)及接地端子(5)在绝缘层的表面露出。输入端子与线圈的一端(6a)电连接。线圈的另一端(6b)以及保护元件的高电位侧端子(11)与输出端子电连接。保护元件的低电位侧端子(12)以及导电层与接地端子电连接。线圈和导电层构成低通滤波器用的电容器(56)。