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公开(公告)号：CN114556586A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073210.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 株式会社东海理化电机制作所
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路。本发明提供一种半导体集成电路，其包括：第一导电型的基板；埋入绝缘膜，设置在基板上；第一导电型的活性层，设置在埋入绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，形成在活性层内；第二导电型的电场缓和层，包围第一杂质区域并形成在活性层内；第一导电型的第二杂质区域，包围电场缓和层并形成在活性层内；以及槽，包围第二杂质区域地形成，并到达埋入绝缘膜。
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