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公开(公告)号：CN1898817A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038220.8
申请日：2004-12-14
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
Inventor： 平井桂
IPC: H01L51/00 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0024 , H01L51/0541
Abstract: 本发明的有机薄膜晶体管，其特征在于，形成含热塑性半导体材料的层及在该层上接合的含金属微粒的层，挤压后加热或挤压与加热同时进行，作成半导体层、源电极、漏电极的有机薄膜晶体管的制造方法，以及在支撑体片材上形成通过门总线及源总线连接的多个有机薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极、漏电极，在构成该电极的金属相至少一部分混入含有热塑性半导体材料的半导体层中，接合该半导体层。
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公开(公告)号：CN100495757C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480038220.8
申请日：2004-12-14
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
Inventor： 平井桂
IPC: H01L51/00 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0024 , H01L51/0541
Abstract: 本发明的有机薄膜晶体管，其特征在于，形成含热塑性半导体材料的层及在该层上接合的含金属微粒的层，挤压后加热或挤压与加热同时进行，作成半导体层、源电极、漏电极的有机薄膜晶体管的制造方法，以及在支撑体片材上形成通过门总线及源总线连接的多个有机薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极、漏电极，在构成该电极的金属相至少一部分混入含有热塑性半导体材料的半导体层中，接合该半导体层。
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公开(公告)号：CN1812153A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510135764.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: H01L51/0015
Abstract: 本发明的目的在于提高采用涂布法形成的有机半导体层的载流子迁移度，还在于抑制有机半导体层薄膜在反复测定(使用)时的特性波动、还有降低阈值、进而提高在基板上的有机半导体层薄膜的成膜性。本发明提供一种有机半导体层的形成方法，其特征在于，对在基板上形成的有机半导体材料薄膜的一部分进行了预处理后，进行热处理。
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公开(公告)号：CN100578744C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200680022565.3
申请日：2006-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L51/05 , H01L21/336 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供在将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂布液涂布于基板上时，通过使干燥时的溶剂的平均挥发速度在所规定的范围内，形成载体迁移率较高的有机半导体膜的方法。此外，根据该形成方法，可以得到有机半导体膜在重复使用时的特性变动得到抑制，即使在栅极电压的阈值降低的绝缘体上成膜性也优异的有机薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1751385A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004225.9
申请日：2004-02-17
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: C23C16/30 , H01L51/0002 , H01L51/0005 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供显示出高载流子迁移率的有机薄膜晶体管元件及其制造方法。该有机薄膜晶体管元件的特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的薄膜，在该薄膜上形成有机半导体层。
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公开(公告)号：CN100568471C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680021905.0
申请日：2006-05-23
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γS＝γSd+γSp+γSh以及上述液体中溶剂的表面自由能由γL＝γLd+γLp+γLh(这里，γSd、γSp、γSh和γLd、γLp、γLh分别表示基于Young-Fowkes式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量)。表示时，γSh-γLh的值在-5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γSh满足0＜γSh＜20(mN/m)。
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公开(公告)号：CN100501945C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200480004225.9
申请日：2004-02-17
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: C23C16/30 , H01L51/0002 , H01L51/0005 , H01L51/0533 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供显示出高载流子迁移率的有机薄膜晶体管元件及其制造方法。该有机薄膜晶体管元件的特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的薄膜，在该薄膜上形成有机半导体层。
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公开(公告)号：CN101203950A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022565.3
申请日：2006-06-23
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L51/05 , H01L21/336 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供在将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂布液涂布于基板上时，通过使干燥时的溶剂的平均挥发速度在所规定的范围内，形成载体迁移率较高的有机半导体膜的方法。此外，根据该形成方法，可以得到有机半导体膜在重复使用时的特性变动得到抑制，即使在栅极电压的阈值降低的绝缘体上成膜性也优异的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101203949A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680021905.0
申请日：2006-05-23
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γS＝γSd+γSp+γSh以及上述液体中溶剂的表面自由能由γL＝γLd+γLp+γLh(这里，γSd、γSp、γSh和γLd、γLp、γLh分别表示基于Young－Fowkes式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量。)表示时，γSh－γLh的值在－5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γSh满足0＜γSh＜20(mN/m)。
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