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公开(公告)号:CN103765566B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201280043358.1
申请日:2012-09-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/75 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/75251 , H01L2224/75353 , H01L2224/7565 , H01L2224/75702 , H01L2224/75804 , H01L2224/75824 , H01L2224/81002 , H01L2224/81022 , H01L2224/81075 , H01L2224/81121 , H01L2224/81207 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2933/0066 , H01L2924/00015 , H01L2924/01007 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 倒装片接合装置具备向基板的各个电极上涂敷并供给接合辅助剂的分配器单元,在作为至少含有铜的金属间的超声波接合来进行第1电极与第2电极之间的金属接合时,至少在第1电极与第2电极的接合界面的周围存在具有还原性的接合辅助剂的状态下进行超声波接合,由此能够除去在第1电极与第2电极的接合界面已经形成的铜的氧化膜,并且能够抑制伴随超声波接合的实施而在接合界面形成氧化膜,能够在确保所需的接合强度的同时,实现至少含有铜的金属间的接合,能够实现半导体元件的安装以及搭载了该半导体元件的基板的制造中的成本削减。