公开(公告)号：CN119585652A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380055575.0

申请日：2023-01-18

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 杉尾幸彦 ,  谷直幸 ,  渡边俊祐 ,  富森浩二 ,  吉田保志 ,  高平宜幸 ,  奥田拓巳 ,  内田雅司 ,  水津将幸 ,  村垣佳宏 ,  中本健太

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/28

Abstract: 荧光体设备(100)具备：基板(110)；荧光体层(120)，包含多个气孔(121)；反射层(130)，设置在基板(110)与荧光体层(120)之间；接合层(140)，设置在基板(110)与反射层(130)之间，并且包含第1金属；以及金属层(150)，设置在反射层(130)与接合层(140)之间，包含熔点比第1金属高的第2金属。反射层(130)具有多层构造，该多层构造是高折射率层(131)和折射率比高折射率层(131)低的低折射率层(132)交替地层叠而成的。