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公开(公告)号：CN101288343B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200680034689.3
申请日：2006-09-21
CPC classification number: H01L27/3209 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/5268
Abstract: 本发明涉及的有机发光元件包含：包括设在一对电极(31，32)中间的发光层(33)的第一发光单元(3)；和包括设在一对电极(51，52)中间的发光层(53)的第二发光单元(5)。在有机发光元件(1)中，两对电极(31，32，51，52)中的处在最外侧的一个电极具有光反射性质，而其他电极具有透光性质，同时在第一和第二发光单元(32，51)之间提供透光绝缘层(4)。绝缘层(4)具有可以阻止没有反射电极的发光单元的发光层发出的光与其他光发生干涉的厚度，或者具有散射发光层发出的光的性质。这减少了发光层(33，53)发出的光与其他光之间的干涉，因此在有机发光元件(1)中，发射光谱的角度依存性小，并且有可能调节光的颜色。
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公开(公告)号：CN101288343A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200680034689.3
申请日：2006-09-21
CPC classification number: H01L27/3209 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/5268
Abstract: 本发明涉及的有机发光元件包含：包括设在一对电极(31，32)中间的发光层(33)的第一发光单元(3)；和包括设在一对电极(51，52)中间的发光层(53)的第二发光单元(5)。在有机发光元件(1)中，两对电极(31，32，51，52)中的处在最外侧的一个电极具有光反射性质，而其他电极具有透光性质，同时在第一和第二发光单元(32，51)之间提供透光绝缘层(4)。绝缘层(4)具有可以阻止没有反射电极的发光单元的发光层发出的光与其他光发生干涉的厚度，或者具有散射发光层发出的光的性质。这减少了发光层(33，53)发出的光与其他光之间的干涉，因此在有机发光元件(1)中，发射光谱的角度依存性小，并且有可能调节光的颜色。
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公开(公告)号：CN1825519A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004886.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1419260A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件10a。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN1395272A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种电场放射型电子源10，具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压，使表面电极7相对于n型硅基板1为正极，从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移，通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中，形成漂移层6时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1732551B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200380107724.6
申请日：2003-12-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J31/123
Abstract: 场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括下部电极(12)、由形成在下部电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。
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公开(公告)号：CN100562971C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200480034906.X
申请日：2004-10-27
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN1217374C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，具有n型硅基板(1)、在n型硅基板(1)的1个表面上形成的漂移层(6)(强电场漂移层)、在漂移层(6)上形成的表面电极(7)。通过外加电压，使表面电极(7)相对于n型硅基板(1)为正极，从而由n型硅基板(1)注入漂移层(6)中的电子在该漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)被释放出。在该电场放射型电子源(10)的制造过程中，形成漂移层(6)时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
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公开(公告)号：CN1216393C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上，从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3，以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状，跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7，能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子，所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
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