-
公开(公告)号：CN100554970C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200680000185.X
申请日：2006-01-20
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01P15/02
CPC classification number: G01P15/08 , G01P2015/0871
Abstract: 本发明涉及一种半导体加速度传感器，其具有形成为用于包围锤部的大致为L形梁部，其中两个细长的L形梁部形成为包围着俯视时所示的并构成锤部的正方形部，在靠近所述梁部的基端部的位置处形成有从固定部朝向锤部突出的凸出部和从锤部朝向固定部突出的包围该凸出部的容置凹入部。凸出部的外部形状与容置凹入部的内壁表面基本相同，以便由于容置凹入部容置凸出部而使锤部在垂直于上下方向的水平方向中的任一方向上的运动均受到限制，在该凸出部的底部中形成有开口。因此，即使当对加速度传感器施加侧向冲击时，也能显著地防止锤部运动，从而防止过大的应力施加于梁部而使梁部破损。
-
公开(公告)号：CN101133472A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006717.0
申请日：2006-08-29
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01H29/00 , H01H29/004 , H01H2029/008 , H01H2057/006
Abstract: 本发明公开了一种具有出色切换响应的使用导电流体的继电装置。该继电装置主要包括具有内部空间且通过将半导体基板接合到绝缘基板形成的叠层；暴露于该内部空间的至少两个触点；面向该内部空间的隔膜部；密封在该内部空间内的导电流体；以及用于使该隔膜部弹性变形的致动器。通过在半导体基板上形成隔膜部，可以减小使隔膜部弹性变形所需的致动器驱动力，并以良好响应实现内部空间的容积变化。该容积变化导致该内部空间内的导电流体的位置偏移，由此形成该触点之间的导电状态和不导电状态。
-
公开(公告)号：CN1701223A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480001135.4
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B60C23/0408 , G01L19/0084 , G01L19/0092 , G01L19/141 , G01L19/148 , G01P1/023 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种传感器装置，其在引线(4)的下面沿着传感器装置纵向排列成一列地配设压力传感器(1)、加速度传感器(2)和信号处理电路(3)。在传感器装置纵向上，压力传感器(1)和加速度传感器(2)，相对于信号处理电路(3)的中心被配置在对称的位置上。压力传感器(1)以及加速度传感器(2)的高度尺寸大致相同。两传感器(1、2)、信号处理电路(3)和引线(4)，被模制成型体(8)，以引线端子(4a)向外部突出的方式密封。信号处理电路(3)，根据加速度传感器(2)的信号，控制压力传感器(1)的开·关的动作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942768A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000185.X
申请日：2006-01-20
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01P15/02
CPC classification number: G01P15/08 , G01P2015/0871
Abstract: 一种半导体加速度传感器，其具有形成为用于包围锤部的大致为L形梁部，其中两个细长的L形梁部形成为包围着俯视时所示的并构成锤部的正方形部，在靠近所述梁部的基端部的位置处形成有从固定部朝向锤部突出的凸出部和从锤部朝向固定部突出的包围该凸出部的容置凹入部。凸出部的外部形状与容置凹入部的内壁表面基本相同，以便由于容置凹入部容置凸出部而使锤部在垂直于上下方向的水平方向中的任一方向上的运动均受到限制。因此，即使当对加速度传感器施加侧向冲击时，也能显著地防止锤部运动，从而防止过大的应力施加于梁部而使梁部破损。
-
公开(公告)号：CN1942746A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011007.2
申请日：2005-12-12
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L1/14
Abstract: 在静电电容式半导体物理量传感器中，玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域(连接区域)接触以用于阳极连接，而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极，而在半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极。在阳极连接之前，在该连接区域内侧的玻璃衬底的连接面侧的表面上形成有等电位配线，其使固定电极短接于可移动电极，以作为针对阳极连接中放电的对策。在阳极连接之后，该等电位配线被切断并去除。通过以这种方式制造传感器，在绝缘衬底与半导体衬底阳极连接时，使绝缘衬底的固定电极与半导体衬底的可移动电极等电位，从而防止了放电的产生。因此，可以获得高连接力和所需的传感器特性，而不会引起连接空隙的产生和传感器芯片尺寸的增大。
-
公开(公告)号：CN100576404C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200680006717.0
申请日：2006-08-29
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01H29/00 , H01H29/004 , H01H2029/008 , H01H2057/006
Abstract: 本发明公开了一种具有出色切换响应的使用导电流体的继电装置。该继电装置主要包括具有内部空间且通过将半导体基板接合到绝缘基板形成的叠层；暴露于该内部空间的至少两个触点；面向该内部空间的隔膜部；密封在该内部空间内的导电流体；以及用于使该隔膜部弹性变形的致动器。通过在半导体基板上形成隔膜部，可以减小使隔膜部弹性变形所需的致动器驱动力，并以良好响应实现内部空间的容积变化。该容积变化导致该内部空间内的导电流体的位置偏移，由此形成该触点之间的导电状态和不导电状态。
-
公开(公告)号：CN100498256C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200580011007.2
申请日：2005-12-12
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L1/14
Abstract: 在静电电容式半导体物理量传感器中，玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域(连接区域)接触以用于阳极连接，而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极，而在半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极。在阳极连接之前，在该连接区域内侧的玻璃衬底的连接面侧的表面上形成有等电位配线，其使固定电极短接于可移动电极，以作为针对阳极连接中放电的对策。在阳极连接之后，该等电位配线被切断并去除。通过以这种方式制造传感器，在绝缘衬底与半导体衬底阳极连接时，使绝缘衬底的固定电极与半导体衬底的可移动电极等电位，从而防止了放电的产生。因此，可以获得高连接力和所需的传感器特性，而不会引起连接空隙的产生和传感器芯片尺寸的增大。
-
公开(公告)号：CN100381804C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200480001135.4
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B60C23/0408 , G01L19/0084 , G01L19/0092 , G01L19/141 , G01L19/148 , G01P1/023 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种传感器装置，其在引线(4)的下面沿着传感器装置纵向排列成一列地配设压力传感器(1)、加速度传感器(2)和信号处理电路(3)。在传感器装置纵向上，压力传感器(1)和加速度传感器(2)，相对于信号处理电路(3)的中心被配置在对称的位置上。压力传感器(1)以及加速度传感器(2)的高度尺寸大致相同。两传感器(1、2)、信号处理电路(3)和引线(4)，被模制成型体(8)，以引线端子(4a)向外部突出的方式密封。信号处理电路(3)，根据加速度传感器(2)的信号，控制压力传感器(1)的开·关的动作。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
