公开(公告)号：CN1200198A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：CN97191237.8

申请日：1997-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 佐藤岳彦 ,  镰田策雄

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16

Abstract: 一种热电器件在Bi－Sb－Te或Bi－Te－Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度,用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散;从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的:a)制备具有相对面的热电半导体;b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层;c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散,从而在每个相对面上形成Sn合金层;d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN1125493C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN97191237.8

申请日：1997-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 佐藤岳彦 ,  镰田策雄

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16

Abstract: 一种热电器件在Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度，用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散；从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的：a)制备具有相对面的热电半导体；b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层；c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散，从而在每个相对面上形成Sn合金层；d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN1281264A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00109643.5

申请日：2000-06-19

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 浦野洋二 ,  镰田策雄 ,  吉冈浩一 ,  小林健太郎

IPC: H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22F2998/10 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/16

Abstract: 通过下面的方法可生产一种用于具有优良热电性能和机械性能的热电元件的材料烧结体。提供一种用于热电元件的块体材料。将块体材料封闭在细长的封壳中,在对封壳抽空后,进行成型操作以减少与封壳的轴向垂直的截面,并通过成型操作获得成型的封壳。然后进行热处理以烧结在成型封壳中的密实毛坯。最后,从成型的封壳中取出所获得的烧结体。该方法最好被用于生产热电模块,其是适用帕尔铁效应的温控器件。

公开(公告)号：CN1156921C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00109643.5

申请日：2000-06-19

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 浦野洋二 ,  镰田策雄 ,  吉冈浩一 ,  小林健太郎

IPC: H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22F2998/10 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/16

Abstract: 通过下面的方法可生产一种用于具有优良热电性能和机械性能的热电元件的材料烧结体。提供一种用于热电元件的块体材料。将块体材料封闭在细长的封壳中，在对封壳抽空后，进行成型操作以减少与封壳的轴向垂直的截面，并通过成型操作获得成型的封壳。然后进行热处理以烧结在成型封壳中的密实毛坯。最后，从成型的封壳中取出所获得的烧结体。该方法最好被用于生产热电模块，其是适用帕尔铁效应的温控器件。