公开(公告)号：CN1125493C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN97191237.8

申请日：1997-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 佐藤岳彦 ,  镰田策雄

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16

Abstract: 一种热电器件在Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度，用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散；从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的：a)制备具有相对面的热电半导体；b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层；c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散，从而在每个相对面上形成Sn合金层；d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN1200198A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：CN97191237.8

申请日：1997-12-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 佐藤岳彦 ,  镰田策雄

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16

Abstract: 一种热电器件在Bi－Sb－Te或Bi－Te－Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度,用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散;从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的:a)制备具有相对面的热电半导体;b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层;c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散,从而在每个相对面上形成Sn合金层;d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。