公开(公告)号：CN100347559C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410049016.8

申请日：2004-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 山下恭司 ,  国清辰也 ,  渡边哲也 ,  金本俊几

IPC: G01R31/28 ,  G01R27/26 ,  H01L27/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/2884 ,  G01R31/2853

Abstract: 一种具有电容测量电路的半导体装置。在电容测量电路中，配置PMISFET(1、2、3)和NMISFET(4～9)。布线(W1、W2、W3)，在分别通过PMISFET(1、2、3)，经过充电用电压供给部，与电源端子盘(PST)连接的同时，还分别通过NMISFET(7、8、9)，经过电流取出部，与电流监测用端子盘(41)连接。再使电流监测用端子盘(41)与电流表(45)的探头接触，从而能测量电流(I)。实现了所需的端子盘数量少，而且能将3个以上的导体部件之间的电容(寄生电容)分离开后测量的电容测量电路。

公开(公告)号：CN1308697C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410003322.8

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  渡边哲也 ,  金本俊几 ,  山下恭司

IPC: G01R31/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R27/2605

Abstract: 本发明的电容值测定用电路中，PMOS晶体管(MP2)和NMOS晶体管(MN2)的漏极之间的端子(P2)与节点(N1)电连接，在节点(N1)和节点(N2)之间作为测定电容形成部形成了耦合电容(Cc)。节点(N2)经由端子(P2)与NOMS晶体管(MN3)连接到焊盘(58)，在POMS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的漏极之间的端子(P3)与节点(N3)相连。在节点(N3)上设置基准电容(Cref)作为伪电容。通过电流计(61)与电流计(62)分别测定从电源分别供给节点(N3)与节点(N1)的电流(Ir)与电流(It)，且通过电流计(63)测定从节点(N2)感应的流入接地电平的电流(Im)。从而，得到可将测定目标的电容成分分离后进行测定的CBCM用电路。

公开(公告)号：CN1577843A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410049016.8

申请日：2004-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 山下恭司 ,  国清辰也 ,  渡边哲也 ,  金本俊几

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/78 ,  G01R31/30 ,  G01R31/316

CPC classification number: G01R31/2884 ,  G01R31/2853

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在电容测量电路中，配置PMISFET(1、2、3)和NMISFET(4～9)。布线(W1、W2、W3)，在分别通过PMISFET(1、2、3)，经过充电用电压供给部，与电源端子盘(PST)连接的同时，还分别通过NMISFET(7、8、9)，经过电流取出部，与电流监测用端子盘(41)连接。再使电流监测用端子盘(41)与电流表(45)的探头接触，从而能测量电流(I)。实现了所需的端子盘数量少，而且能将3个以上的导体部件之间的电容(寄生电容)分离开后测量的电容测量电路。

公开(公告)号：CN1517716A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410003322.8

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  渡边哲也 ,  金本俊几 ,  山下恭司

IPC: G01R31/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R27/2605

Abstract: 本发明的电容值测定用电路中，PMOS晶体管(MP2)和NMOS晶体管(MN2)的漏极之间的端子(P2)与节点(N1)电连接，在节点(N1)和节点(N2)之间作为测定电容形成部形成了耦合电容(Cc)。节点(N2)经由端子(P2)与NOMS晶体管(MN3)连接到焊盘(58)，在POMS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的漏极之间的端子(P3)与节点(N3)相连。在节点(N3)上设置基准电容(Cref)作为伪电容。通过电流计(61)与电流计(62)分别测定从电源分别供给节点(N3)与节点(N1)的电流(Ir)与电流(It)，且通过电流计(63)测定从节点(N2)感应的流入接地电平的电流(Im)。从而，得到可将测定目标的电容成分分离后进行测定的CBCM用电路。

公开(公告)号：CN1462068A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03138118.9

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘 ,  国清辰也 ,  永久克己

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/312

Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。