公开(公告)号：CN1754260A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480004930.9

申请日：2004-04-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 美浓辰治 ,  石井弘德 ,  宇贺治正弥 ,  柴野靖幸

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01M6/40 ,  H01L23/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01M2/0275 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0561 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/4257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种搭载电池的集成电路装置，其中集成电路和固态电池形成在同一基板上。在该搭载电池的集成电路装置中，包括N型杂质的第一扩散层形成在搭载固态电池的半导体基板的区域与搭载集成电路的半导体基板的区域之间，而包括N型杂质的第二扩散层在搭载固态电池的半导体基板的区域下面形成，并与第一扩散层重叠。

公开(公告)号：CN100358144C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200480004930.9

申请日：2004-04-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 美浓辰治 ,  石井弘德 ,  宇贺治正弥 ,  柴野靖幸

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01M6/40 ,  H01L23/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01M2/0275 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0561 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/4257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种搭载电池的集成电路装置，其中集成电路和固态电池形成在同一基板上。在该搭载电池的集成电路装置中，包括N型杂质的第一扩散层形成在搭载固态电池的半导体基板的区域与搭载集成电路的半导体基板的区域之间，而包括N型杂质的第二扩散层在搭载固态电池的半导体基板的区域下面形成，并与第一扩散层重叠。

公开(公告)号：CN1531130A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028695.0

申请日：2004-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 美浓辰治 ,  石井弘德

IPC: H01M10/04 ,  H01M6/00 ,  H01M2/00

CPC classification number: H01M2/0275 ,  H01M2/0202 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/0295 ,  H01M2002/0205

Abstract: 固体电池，所述电池具备基板，由在基板上依次层叠的下部集电体层、下部电极层、电解质层、上部电极层及上部集电体层构成的发电元件，以及至少覆盖发电元件的侧面的保护膜，保护膜的至少一部分从覆盖上部集电体层的侧面的上部开始朝向与基板相接的局部具有无阶差的光滑的表面，连接与保护膜的具有前述光滑表面的部分相连的上部集电体层的边缘上的一点和基板与保护膜的接触面的外周上的一点的最短斜线和基板表面间形成的锐角θ在70度以下。