公开(公告)号：CN1088765C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN97115408.2

申请日：1997-07-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田敏道 ,  山田雄一郎 ,  滝泽贵博 ,  田辺浩

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明等离子体处理装置，包括减压室、一对面对面的电极、处理气体供给机构、高频电源以及对设置在一电极上被处理物进行加热的加热机构，另一电极侧由温度调节构件、兼作电极用气体喷出板、夹于此两者间的格子状传热构件构成，该传热构件具有使供给的处理气体均压化、从气体喷出孔喷出的气体均压化空间，具有能将电极用气体喷出板的热量传至温度调节构件、能不使电极兼用气体喷出板产生热变形、可对大型基板进行等离子体处理的效果。

公开(公告)号：CN1072734C

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN1119552A

公开(公告)日：1996-04-03

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: B01D69/00

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN1173550A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97115408.2

申请日：1997-07-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田敏道 ,  山田雄一郎 ,  滝泽贵博 ,  田辺浩

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明等离子体处理装置,包括减压室、一对面对面的电极、处理气体供给机构、高频电源以及对设置在一电极上被处理物进行加热的加热机构,另一电极侧由温度调节构件、兼作电极用气体喷出板、夹于此两者间的格子状传热构件构成,该传热构件具有使供给的处理气体均压化、从气体喷出孔喷出的气体均压化空间,具有能将电极用气体喷出板的热量传至温度调节构件、能不使电极兼用气体喷出板产生热变形、可对大型基板进行等离子体处理的效果。