公开(公告)号：CN1933265A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610099759.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松木义幸 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  鹈饲勉

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087 ,  H01S2304/00

Abstract: 本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(1.5e18cm－3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm－3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1933265B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610099759.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松木义幸 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  鹈饲勉

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087 ,  H01S2304/00

Abstract: 本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(1.5e18cm-3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm-3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。