公开(公告)号：CN1606157A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410083540.7

申请日：2004-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松永朋弘 ,  最上弘司

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括具有熔断部(101a)的多晶硅熔(101)，依次叠层在熔断部(101a)上具有凹部(106a)的层间绝缘膜(106)、在凹部(106a)上具有开口部(107a)的表面保护膜(107)、充填凹部(106a)及开口部(107a)的缓冲膜(108)、形成在缓冲膜(108)上的密封树脂层，通过缓冲膜(108)，缓和密封树脂层(109)对多晶硅熔丝(101)形成的膜应力。此外，半导体器件的微调方法，通过对多晶硅熔丝(101)外加电压，在熔断部(101a)熔化多晶硅熔丝后，通过在流动电流的状态下，断开外加电压，进行微调。根据本发明实现具有能够稳定写入的多晶硅熔丝的半导体器件及其微调。