公开(公告)号：CN102893366A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180022976.3

申请日：2011-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福井裕介 ,  西谷干彦 ,  坂井全弘 ,  冈藤美智子 ,  奥井弥生 ,  本多洋介 ,  山内康弘 ,  井上修 ,  浅野洋

IPC: H01J11/12 ,  H01J11/40

CPC classification number: H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 提供一种能够改善保护膜周边的结构，发挥优秀的二次电子释放特性，且能够期待高效率化和长寿命化的PDP。而且，还提供一种能够防止驱动时的放电延迟的发生，即使是高速驱动的高精细的PDP也能期待发挥高品质的图像显示性能的PDP。具体而言，在电介质层（7）的放电空间一侧的面上，作为用作膜厚约为1μm的表面层的保护膜（8），形成在CeO2中添加浓度为11.8mol%以上49.4mol%以下的Sr的结晶性膜。在其上，配置比保护膜（8）高的二次电子释放特性的高γ微粒子（17）。由此，提高保护膜（8）的二次电子释放特性、亮度，效率、可靠性。

公开(公告)号：CN102017049A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201080001458.9

申请日：2010-01-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福井裕介 ,  坂井全弘 ,  西谷干彦 ,  本多洋介 ,  冈藤美智子 ,  山内康弘

IPC: H01J11/02

CPC classification number: H01J11/40 ,  H01J11/12

Abstract: 本发明中，作为第一目的，提供一种能够改良表面层使二次电子发射特性和电荷保持特性提高、以良好的图像显示性能稳定地进行低功率驱动的PDP。作为第二目的，提供一种进一步防止驱动时的放电延迟的产生，即使是进行高速驱动的高精细的PDP，也能够期待高品位的图像显示性能的PDP。因此，在电介质层(7)的放电空间(15)侧的面，配设以CeO2为主成分、添加16mol％～29mol％的Ba而成的膜厚约1μm的表面层(保护膜)(8)。由此，在表面层(8)中的禁带形成一定深度的电子能级，或者，使价电子带的电子能级上升而减少带隙，实现二次电子发射特性及电荷保持特性的提高。

公开(公告)号：CN102017050A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201080001481.8

申请日：2010-01-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福井裕介 ,  坂井全弘 ,  西谷干彦 ,  本多洋介 ,  冈藤美智子 ,  山内康弘

IPC: H01J11/02

CPC classification number: H01J11/12 ,  H01J11/40

Abstract: 本发明的第一目的在于，提供一种等离子体显示面板，通过改良表面层来提高二次电子释放特性和电荷保持特性，从而可稳定实现良好的图像显示性能和低功率驱动。本发明的第二目的在于，提供一种除了上述各种效果之外，还能够缩短老化时间的等离子体显示面板。因此，在电介质层(7)的放电空间侧的表面上形成结晶膜，并作为膜厚约1μm的表面层(8)(保护膜)，其中该结晶膜是在CeO2中添加了浓度为11.8mol％以上49.4mol％以下的Sr而形成的。由此，即可提高表面层(8)中的二次电子释放特性和老化特性。