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公开(公告)号：CN100505266C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN101160660A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN1938781A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
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公开(公告)号：CN101542730B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供具有高速且可逆的稳定的改写特性、良好的电阻值的保持特性并用于信息家电等电子设备的非易失性存储元件及其制造方法，以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN1894751B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200480037496.4
申请日：2004-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/31
Abstract: 本发明的初始化方法，是电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料(2)的初始化方法。以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料(2)上的所述第一及所述第二电极(1、3)之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101636840A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO x 的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN101167138A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200580049548.4
申请日：2005-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。
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公开(公告)号：CN101164168A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
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公开(公告)号：CN1894751A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037496.4
申请日：2004-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/31
Abstract: 本发明的初始化方法，是电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料(2)的初始化方法。以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料(2)上的所述第一及所述第二电极(1、3)之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。
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公开(公告)号：CN1898749B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200480038984.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。
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