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    有机EL元件
    1.
    发明公开
    有机EL元件 有权 转让

    公开(公告)号：CN103053041A

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN201080068393.X

    申请日：2010-08-06

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 原田健史 ,  西山诚司 ,  小松隆宏 ,  竹内孝之 ,  大内晓 ,  冢本义朗 ,  藤村慎也 ,  坂上惠

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5369

    Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（3）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（3）的表面形成堤（12）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（3）通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层（6A）的空穴注入势垒。在空穴注入层（3）的上面形成凹部（4a），使该凹部的内面与功能层（缓冲层（6A）或发光层（6B））接触。

    场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
    3.
    发明授权
    场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件 失效

    公开(公告)号：CN100431169C

    公开(公告)日：2008-11-05

    申请号：CN200580000408.8

    申请日：2005-01-12

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 原田健史 ,  竹内孝之 ,  七井识成 ,  小森一德

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545

    Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。

    发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法
    4.
    发明公开
    发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102308404A

    公开(公告)日：2012-01-04

    申请号：CN201080007024.X

    申请日：2010-02-09

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 原田健史 ,  竹内孝之 ,  西山诚司 ,  小松隆宏

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

    CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56

    Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件，为了达到该目的，关于将第1电极(2)、电荷注入输送层(4)、发光层(6)、第2电极(8)按该顺序层叠且至少对所述发光层(6)通过堤栏(5)进行规定的发光元件，所述电荷注入输送层(4)具有凹入部(4a)，所述凹入部(4a)具备与所述发光层(6)的底面(6a)接触的内底面(4c)和与所述内底面(4c)连续的内侧面(4d)；所述凹入部(4a)的内侧面(4d)具备与所述内底面(4c)连续的下部侧的端缘和与所述下部侧的端缘连续的上部侧的端缘(4e)；所述凹入部(4a)的内侧面(4d)在所述上部侧的端缘(4e)处是与所述堤栏(5)的所述发光层(6)侧的下端缘(5d)一致的形状或与所述堤栏(5)的底面(5a)接触的形状，且与所述发光层(6)的侧面(6b)的至少一部分接触。

    场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
    5.
    发明公开
    场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件 失效

    公开(公告)号：CN1788355A

    公开(公告)日：2006-06-14

    申请号：CN200580000408.8

    申请日：2005-01-12

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 原田健史 ,  竹内孝之 ,  七井识成 ,  小森一德

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545

    Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。

    发光元件及其制造方法
    7.
    发明公开
    发光元件及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103646959A

    公开(公告)日：2014-03-19

    申请号：CN201310591394.8

    申请日：2010-02-09

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 原田健史 ,  竹内孝之 ,  西山诚司 ,  小松隆宏

    IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

    CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56

    Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件及其制造方法，为了达到该目的，关于将第1电极（2）、电荷注入输送层（4）、发光层（6）、第2电极（8）按该顺序层叠且至少对所述发光层（6）通过堤栏（5）进行规定的发光元件，设定为下述结构的发光元件：所述堤栏（5）至少其表面为拨液性，另一方面，所述电荷注入输送层（4）包含与所述堤栏（5）的表面相比较具有亲液性的金属化合物；并且所述电荷注入输送层（4）在以堤栏（5）规定的区域形成为与堤栏底面（5a）的水平相比下沉的凹入结构。

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