-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102057436A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121234.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/406 , G11B7/004 , G11B7/005
CPC classification number: G11C11/406 , G11B7/005 , G11B20/10009 , G11B20/10222 , G11B20/1403 , G11B2220/2537 , G11B2220/61 , G11C7/222 , G11C11/4076
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置、半导体装置及光盘再生装置。其中，半导体存储装置具备存储器单元，具有上述存储器单元的刷新功能，还具备以第一时钟作为输入并根据所述第一时钟的反相来生成第二时钟后输出的时钟产生电路，与所述第一时钟和所述第二时钟中的至少一个时钟同步地进行所述刷新功能的动作。
-
公开(公告)号：CN101034584A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086267.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C5/02 , H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 在构成大容量DRAM作为硬核的情况下，随着工艺细微化，防止与控制电路群的细微化相伴的比例不均衡引起的面积效率、性能、布线效率降低的因素。存储阵列区域与控制区域接触，并且，从平面上看以凸形配置。由此，在大容量的DRAM等存储器中，能够得到设计面积最优化、降低成本的效果。即，大容量的DRAM与需要各种大小变化的ROM、SRAM不同，限制安装个数，在半导体装置中所占的比例也较大，所以，着眼于四角形不是容易配置的必要条件的情况，可提供一种硬核，通过对面积效率、布线效率进行最优化来构成大容量的DRAM，并且，在实现系统LSI后也容易进行版面设计。
-
公开(公告)号：CN1645614A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004502.2
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中井信行
CPC classification number: G11C29/80
Abstract: 只用CMOS器件置换用于存储器的冗余救济的已有的熔丝元件，就能够不需要物理加工地利用上层配线，具有面积上的优点。但是，存在着在半导体装置的设计上，因为为了改写需要在CMOS器件上加上高电压，所以使配线和半导体电路的配置受到制约那样的问题。因此，通过在配置在芯片周边部分的IO模块之间，配置备有由CMOS器件构成的非易失性存储元件的非易失性半导体存储电路，原封不动地保持通过用CMOS器件置换已有的熔丝元件而不需要物理加工能够利用上层配线的面积上的优点，能够解决考虑到加上高电压引起的配置上的问题。
-
公开(公告)号：CN101034584B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710086267.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C5/02 , H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 半导体存储装置以及半导体装置；在构成大容量DRAM作为硬核的情况下，随着工艺细微化，防止与控制电路群的细微化相伴的比例不均衡引起的面积效率、性能、布线效率降低的因素。存储阵列区域与控制区域接触，并且，从平面上看以凸形配置。由此，在大容量的DRAM等存储器中，能够得到设计面积最优化、降低成本的效果，即，大容量的DRAM与需要各种大小变化的ROM、SRAM不同，限制安装个数，在半导体装置中所占的比例也较大，所以，着眼于四角形不是容易配置的必要条件的情况，可提供一种硬核，通过对面积效率、布线效率进行最优化来构成大容量的DRAM，并且，在实现系统LSI后也容易进行版面设计。
-
公开(公告)号：CN100499124C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510004502.2
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中井信行
CPC classification number: G11C29/80
Abstract: 只用CMOS器件置换用于存储器的冗余救济的已有的熔丝元件，就能够不需要物理加工地利用上层配线，具有面积上的优点。但是，存在着在半导体装置的设计上，因为为了改写需要在CMOS器件上加上高电压，所以使配线和半导体电路的配置受到制约那样的问题。因此，通过在配置在芯片周边部分的IO模块之间，配置备有由CMOS器件构成的非易失性存储元件的非易失性半导体存储电路，原封不动地保持通过用CMOS器件置换已有的熔丝元件而不需要物理加工能够利用上层配线的面积上的优点，能够解决考虑到加上高电压引起的配置上的问题。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.03 seconds)
