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公开(公告)号：CN100501867C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN100437819C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1783499A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510129044.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L23/564 , H01L27/11507 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体存储装置，具有多层布线，提高电容器的氢阻挡性、且可缓和应力对电容器造成的不良影响，抑制电容器的特性劣化。该半导体存储装置(100a)，具有配置多个构成存储单元的存储单元晶体管及存储单元电容器而成的存储单元阵列(Am)，具有：在上述存储单元阵列上形成的构成字线衬里布线(6a)和板线衬里布线(6b)的第一布线层；和在上述第一布线层的上层上形成的构成位线衬里布线(7)的第二布线层，且由第一及第二布线层构成的多层布线的结构为：在上述存储单元阵列上上述第一布线层所占的面积比在该存储单元阵列上上述第二布线层所占的面积大。
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公开(公告)号：CN1917083A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610111087.5
申请日：2006-08-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三木隆
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种能够高速动作、面积小、功耗低、并装载了强电介质的半导体存储器件。本发明的半导体存储器件包括：多个以矩阵状排列的存储单元MC、在行方向上排列的多根位线BL和多根板线电位供给线SCP，在列方向上排列的多根字线WL和多根板线CP，分别与上述多个位线电连接、在列方向上排列的多个读出放大器SA，在列方向上排列、驱动该板线电位供给线SCP的多个板线电位供给电路CPD，以及将板线电位供给线SCP与多根板线CP电连接的装置；其中，多个板线电位供给线SCP分别在同一根板线CP上的不同位置上与该板线CP电连接。
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公开(公告)号：CN101064311A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710096582.8
申请日：2007-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供实现高速、小面积且低功耗的安装了强电介质的半导体存储器。具备：多个存储单元；各自共同地连接到在同一行中排列的多个存储单元上的多条位线(BL)；各自共同地连接到在同一列中排列的多个存储单元上的多条字线(WL)和极板线(CP)；在列方向上排列的多条极板电位供给线(CPS)；以及分别将该多条极板电位供给线与对应的多条极板线电连接的单元。用其电阻比极板线电阻低的材料构成极板电位供给线，用氢阻挡膜(HB)包围多个存储单元的电容器的各自的周围，在氢阻挡膜(HB)的下方配置多条极板电位供给线，在平面上看配置了氢阻挡膜的区域内并在同一极板线的多个部位上将多条极板电位供给线(CPS)与同一极板线电连接。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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