公开(公告)号：CN1255779C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN99123155.4

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下寿电子工业株式会社

Inventor： 迈克尔·J·詹尼森 ,  潘威

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/092 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种用于磁阻或巨型磁阻读写头中顶极尖宽度控制的顶表面成像技术，在改进的多维控制的工序中采用一多层结构形成厚光致抗蚀剂。为此，用改进的分辨率来为相对厚的上光致抗蚀剂层构图，然后，用上光致抗蚀剂层作为反应离子蚀剂掩模形成中间金属或陶瓷层，接着，在第二RIE工序中，用中间层作为蚀刻掩模形成最底下的厚光致抗蚀剂层。结果，可获得亚微米极尖宽，它具有高外形比和垂直轮廓，以及改进的临界尺寸控制。

公开(公告)号：CN1267053A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN99123155.4

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下寿电子工业株式会社

Inventor： 迈克尔·J·詹尼森 ,  潘威

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/092 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种用于磁阻或巨型磁阻读写头中顶极尖宽度控制的顶表面成像技术,在改进的多维控制的工序中采用一多层结构形成厚光致抗蚀剂。为此,用改进的分辨率来为相对厚的上光致抗蚀剂层构图,然后,用上光致抗蚀剂层作为反应离子蚀剂掩模形成中间金属或陶瓷层,接着,在第二RIE工序中,用中间层作为蚀刻掩模形成最底下的厚光致抗蚀剂层。结果,可获得亚微米极尖宽,它具有高外形比和垂直轮廓,以及改进的临界尺寸控制。