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公开(公告)号：CN1255779C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN99123155.4
申请日：1999-10-25
Applicant: 松下寿电子工业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G03F7/092 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种用于磁阻或巨型磁阻读写头中顶极尖宽度控制的顶表面成像技术，在改进的多维控制的工序中采用一多层结构形成厚光致抗蚀剂。为此，用改进的分辨率来为相对厚的上光致抗蚀剂层构图，然后，用上光致抗蚀剂层作为反应离子蚀剂掩模形成中间金属或陶瓷层，接着，在第二RIE工序中，用中间层作为蚀刻掩模形成最底下的厚光致抗蚀剂层。结果，可获得亚微米极尖宽，它具有高外形比和垂直轮廓，以及改进的临界尺寸控制。
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公开(公告)号：CN1274331A
公开(公告)日：2000-11-22
申请号：CN99801183.5
申请日：1999-07-16
Applicant: 江上化学株式会社 , 日昌株式会社 , 松下寿电子工业株式会社
Inventor： 江上伸夫
IPC: B65D85/86
CPC classification number: G11B5/4806 , G11B21/16 , G11B25/043
Abstract: 本发明涉及收存运送多个硬盘驱动器磁头的托架。在本发明的托架(10),在定位部(12,15)的表面,具有在对应定位多个硬盘驱动器磁头(30)的位置,设置的微小凸部。作为微小凸部的一例,可以举出比布线(34)的厚度稍微大的高度(数百μm左右)的半球状凸起(20),并且,作为其他的例子,可以举出宽度为数百μm左右,长度为数mm左右的线状隆起(21)。如按照这样的结构,由于HDD磁头(30)的布线面与托架(10)的定位部(12,15)相接触的仅是微小凸部(20,21),HDD磁头的布线面与托架的定位部之间的摩擦很小。因此,确实防止由于摩擦而引起布线(34)的损伤和断线这样的问题。
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公开(公告)号：CN1120792C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN99801183.5
申请日：1999-07-16
Applicant: 江上化学株式会社 , 日昌株式会社 , 松下寿电子工业株式会社
Inventor： 江上伸夫
IPC: B65D85/86
CPC classification number: G11B5/4806 , G11B21/16 , G11B25/043
Abstract: 本发明涉及收存运送多个硬盘驱动器磁头的托架。在本发明的托架(10)，在定位部(12，15)的表面，具有在对应定位多个硬盘驱动器磁头(30)的位置，设置的微小凸部。作为微小凸部的一例，可以举出比布线(34)的厚度稍微大的高度(数百μm左右)的半球状凸起(20)，并且，作为其他的例子，可以举出宽度为数百μm左右，长度为数mm左右的线状隆起(21)。如按照这样的结构，由于HDD磁头(30)的布线面与托架(10)的定位部(12，15)相接触的仅是微小凸部(20，21)，HDD磁头的布线面与托架的定位部之间的摩擦很小。因此，确实防止由于摩擦而引起布线(34)的损伤和断线这样的问题。
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公开(公告)号：CN1267053A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN99123155.4
申请日：1999-10-25
Applicant: 松下寿电子工业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G03F7/092 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种用于磁阻或巨型磁阻读写头中顶极尖宽度控制的顶表面成像技术,在改进的多维控制的工序中采用一多层结构形成厚光致抗蚀剂。为此,用改进的分辨率来为相对厚的上光致抗蚀剂层构图,然后,用上光致抗蚀剂层作为反应离子蚀剂掩模形成中间金属或陶瓷层,接着,在第二RIE工序中,用中间层作为蚀刻掩模形成最底下的厚光致抗蚀剂层。结果,可获得亚微米极尖宽,它具有高外形比和垂直轮廓,以及改进的临界尺寸控制。
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