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发明授权
氮化物类发光元件有权转让

公开(公告)号：CN109075530B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780028564.8

申请日：2017-04-04

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 高山彻 , 中谷东吾 , 狩野隆司 , 左文字克哉

IPC: H01S5/042 , H01S5/343

Abstract: 一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。

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