一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119545833A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411516715.2

    申请日:2024-10-29

    Inventor: 张骐 黄春晨 李馨

    Abstract: 本发明属于人工神经元器件领域,为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题,本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法,包括以下步骤:制备单层/少层二硫化硒薄沟道;蒸镀Se/Au电极制作P型WSe2晶体管;蒸镀Bi/Au电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接;本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线,并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率,证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。

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