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公开(公告)号：CN119545833A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411516715.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于人工神经元器件领域，为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题，本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法，包括以下步骤：制备单层/少层二硫化硒薄沟道；蒸镀Se/Au电极制作P型WSe2晶体管；蒸镀Bi/Au电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接；本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线，并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率，证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。
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