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公开(公告)号：CN114678486A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210425821.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用，本发明近红外低铅卤族钙钛矿光电材料，包括电极、空穴传输层、电子传输层和发光层；其特征在于：所述的发光层材料，其结构为ABX3，A为Cs、EA、FA、MA四种中的一种或多种，其中B为Pb、Sn、Ge、Mn、Zn、Cd、Co、Cu、Ni中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种；本发明通过旋涂方法在ITO玻璃上旋涂了电子传输层ZnO/PEIE、钙钛矿发光层和空穴传输层TFB而后使用热蒸镀的方法蒸镀电极MoO3/Au。在保证电致发光效率的同时，降低了实验制备钙钛矿发光器件的难度，也降低了整个器件重金属铅的含量。
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公开(公告)号：CN112961485B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110062267.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法，本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜，相比热蒸镀法，降低了CsPb1‑xGexBr3+PEO钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
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公开(公告)号：CN112961485A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110062267.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法，本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜，相比热蒸镀法，降低了CsPb1‑xGexBr3+PEO钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
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公开(公告)号：CN112680212B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011414328.X
申请日：2020-12-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr2、GeBr2以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPb1‑xGexBr3(x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5)钙钛矿薄膜。本发明降低了CsPb1‑xGexBr3钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
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公开(公告)号：CN112680212A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011414328.X
申请日：2020-12-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr2、GeBr以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPb1‑xGexBr3(x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5)钙钛矿薄膜。本发明降低了CsPb1‑xGexBr3钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
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