公开(公告)号：CN114678486A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210425821.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 朱毅辉 ,  杨得鑫 ,  霍德璇 ,  洪嘉伟 ,  饶敏 ,  张宇航

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一种近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用，本发明近红外低铅卤族钙钛矿光电材料，包括电极、空穴传输层、电子传输层和发光层；其特征在于：所述的发光层材料，其结构为ABX3，A为Cs、EA、FA、MA四种中的一种或多种，其中B为Pb、Sn、Ge、Mn、Zn、Cd、Co、Cu、Ni中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种；本发明通过旋涂方法在ITO玻璃上旋涂了电子传输层ZnO/PEIE、钙钛矿发光层和空穴传输层TFB而后使用热蒸镀的方法蒸镀电极MoO3/Au。在保证电致发光效率的同时，降低了实验制备钙钛矿发光器件的难度，也降低了整个器件重金属铅的含量。