公开(公告)号：CN118821878A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410796886.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 卢振洲 ,  项晨阳 ,  杨宇新 ,  刘奎星 ,  梁燕

IPC: G06N3/065

Abstract: 本发明公开了一种基于电阻连接的S型忆阻神经元耦合硬件电路，包括两个S型局部有源忆阻器、两个直流电流源、两个电容和一个耦合电阻。S型局部有源忆阻器M1与电容C01并联，M1的负极与地相连，直流电流源ID1连接M1的正极提供偏置电流构成忆阻神经元1；S型局部有源忆阻器M2与电容C02并联，M2的负极与地相连，直流电流源ID2连接M2的正极提供偏置电流构成忆阻神经元2；M1的正极与M2的正极通过耦合电阻连接。本发明耦合前的两个忆阻神经元工作在混沌边缘域且处于静息状态，通过电阻连接后构成忆阻神经元耦合电路，忆阻神经元被唤醒产生振荡行为。

公开(公告)号：CN119830973A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411852485.7

申请日：2024-12-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 秦婉婷 ,  杨宇新 ,  范俊楠 ,  项晨阳 ,  梁燕

IPC: G06N3/063 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及基于S型忆阻器并行运算的多模态感知忆阻神经元电路，包括一个S型局部有源忆阻器、两个直流电压源、一个偏置电阻R、一个电容倍增器M、一个降压模块、一个升压模块M1和一个stm32单片机，本发明通过合适的参数设计和器件选取，忆阻神经元工作在混沌边缘域且处于静息状态。在感知到不同强度的激励时，神经元被唤醒产生振荡行为所需的直流偏置大小不同，振荡行为的频率也不同，通过对直流偏置大小和振荡频率的判定，一个忆阻神经元即可高效并行运算感知两种激励。