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公开(公告)号：CN119830973A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411852485.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于S型忆阻器并行运算的多模态感知忆阻神经元电路，包括一个S型局部有源忆阻器、两个直流电压源、一个偏置电阻R、一个电容倍增器M、一个降压模块、一个升压模块M1和一个stm32单片机，本发明通过合适的参数设计和器件选取，忆阻神经元工作在混沌边缘域且处于静息状态。在感知到不同强度的激励时，神经元被唤醒产生振荡行为所需的直流偏置大小不同，振荡行为的频率也不同，通过对直流偏置大小和振荡频率的判定，一个忆阻神经元即可高效并行运算感知两种激励。
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