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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116455356A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310500550.9
申请日：2023-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开了一种低附加相移的毫米波宽带衰减器，包括串联支路、第一并联支路、第二并联支路、相位补偿电路；在第一并联支路和第二并联支路之间引入了一种由电感L和电容C构成LC并联结构的新型相位补偿电路，其作用是在衰减态下，引入了额外的相位滞后。而在参考态，由于场效应管M2、M3、M4、M5关闭，相位补偿电路的引入不会对参考态的相位有影响。通过改变相位补偿电路中电感和电容的大小可以控制衰减态的相位，同时不影响参考态下的相位，从而达到减小附加相移的作用。而且，由于衰减器是通过并联支路的电阻的泄露达到衰减效果，新型相位补偿电路的引入对衰减器的衰减幅值几乎不会有大的影响。
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公开(公告)号：CN115732918A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211503634.X
申请日：2022-11-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高次模的FSIW毫米波微带天线，包括多个周期性阵列分布的天线模块；每个天线模块为2×2天线阵列，包括天线辐射结构、两个FSIW腔体结构、Y型波导功率分配器。天线辐射结构包括天线辐射单元、第一介质层、第一金属层；天线辐射单元包括四个金属矩形贴片。其中，金属矩形贴片作为天线单元向外辐射，每个单元正下方两侧刻蚀有一组对称的耦合馈电缝隙，被高次模TE20模所使用；用于传导TE20模的FSIW腔则是通过理想磁壁面把两侧向内翻折形成，减小近33％的平面面积。本发明天线获得8.93％阻抗带宽、低于13.4dB旁瓣电平和12.85dBi最大峰值增益，并可实现与毫米波射频前端电路直接集成。
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公开(公告)号：CN114335966A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111637978.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明公开一种兼具滤波功能的小型化基片集成波导魔T，包括两个背对背放置的基片集成波导圆形腔、输入耦合结构、输出耦合结构、第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口、第二输出端口和十字耦合槽。本发明采用层叠结构来实现，利用基片集成波导圆形腔的TE201模和TE102模设计等功率反相输出和同相输出，并且这两个输出均具有带通滤波响应，利用层叠结构减小魔T的整体尺寸，面积与单个SIWCC的面积相当；通过上下两个背对背放置的基片集成波导圆形腔间的十字耦合槽耦合，整个结构为全封闭结构，避免了不必要的辐射损耗以及对其他电路的辐射干扰，调节十字耦合槽的横向和纵向长度可以方便的调节两种输出状态下的工作带宽。
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公开(公告)号：CN114204241B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111511947.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开微带‑开路槽线耦合双频带90度定向耦合器，为轴对称结构，其特征在于包括：第一微带‑开路槽线耦合线、第二微带‑开路槽线耦合线、第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、50欧姆微带线、微带线开路枝节、金属地面和介质基板；第一微带线与第二微带线连接处设有与第二微带线垂直的两条微带线开路枝节；两条微带线开路枝节分别位于第二微带线的两侧。利用微带‑开路槽线耦合结构，提高了双频带定向耦合器的可实现耦合度，同时保持了带宽、隔离度、幅度和相位平衡度等性能。
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公开(公告)号：CN114204241A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111511947.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开微带‑开路槽线耦合双频带90度定向耦合器，为轴对称结构，其特征在于包括：第一微带‑开路槽线耦合线、第二微带‑开路槽线耦合线、第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、50欧姆微带线、微带线开路枝节、金属地面和介质基板；第一微带线与第二微带线连接处设有与第二微带线垂直的两条微带线开路枝节；两条微带线开路枝节分别位于第二微带线的两侧。利用微带‑开路槽线耦合结构，提高了双频带定向耦合器的可实现耦合度，同时保持了带宽、隔离度、幅度和相位平衡度等性能。
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