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公开(公告)号：CN113731444B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110988119.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明公开了一种用于降解有机废水的Sb‑SnO2/SnS2纳米催化剂及其制备方法和应用。以硫脲和四氯化锡为原料，通过水热法合成得到二维片层的SnS2纳米催化剂，之后真空烘干得到黄色粉末状。再将得到的SnS2纳米催化剂分散在含有四氯化锡和三氯化锑的水溶液中，再次通过水热工艺得到复合型的Sb‑SnO2/SnS2异质结纳米颗粒。该催化剂具有球状的纳米花结构，能够实现光催化剂对紫外光、可见光到近红外光的有效吸收，增强了光催化剂利用太阳光降解有机废水的能力。
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公开(公告)号：CN111654246A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010461677.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种开关电容方式的可编程的传感器信号处理装置。本发明包括第一可编程开关电容组、第二可编程开关电容组、可编程主全差分运算放大器、第一可编程从全差分运算放大器和第二可编程从全差分运算放大器、输出多路选择器、输出控制模块；本发明采用了全差分的开关电容的工作方式，全差分电路具有高共模抑制比、信号摆幅大、线性度高的优点，能有效地抑制共噪声、提高信噪比和降低谐波失真，特别适合于传感器信号的读出。
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公开(公告)号：CN111693582A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010455137.1
申请日：2020-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开一种电化学检测高精度便携式前端装置。其电路包括正向电压跟随电路、基于正向电压跟随电路的RE-CE电极、电流电压转换电路、基于电流电压转换电路的WE电极、三环对顶交叉负反馈放大器。三环对顶交叉负反馈放大器是由A1形成负反馈电路的输出节点与A2形成负反馈电路的输出节点连接,二者组合形成对顶环；由A2形成负反馈电路的输出节点与A3形成负反馈电路的同相输入节点连接,由A3形成负反馈电路的反相输入节点与由A2形成负反馈电路的反相输入节点连接,二者组合形成交叉环。通过上述设置,相较于传统的放大电路具有更低的噪声电平和更大的信号带宽,并改善了传统的电化学检测器测试精度。
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公开(公告)号：CN119446691A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510025979.6
申请日：2025-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体桥电流防护领域，具体涉及一种基于二氧化钒厚膜热敏电阻的半导体桥电流防护方法。先在氧化铝陶瓷基底上，沉积生长铜、镍、金叉指电极，接着在加热的叉指电极表面喷涂乙酰丙酮氧钒的甲醇溶液，获得二氧化钒热敏电阻器件，与半导体桥并联，实现半导体桥热敏电阻电流防护。本发明通过调整合成方法和工艺可以合成价态较为单一的二氧化钒，实现在叉指电极上一步合成了M相二氧化钒，这种方法制备的二氧化钒避免了先制备二氧化钒粉末，然后移植在叉指电极表面的繁琐工艺，还可以使二氧化钒更稳固的结合在叉指电极表面。
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公开(公告)号：CN113731444A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988119.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明公开了一种用于降解有机废水的Sb‑SnO2/SnS2纳米催化剂及其制备方法和应用。以硫脲和四氯化锡为原料，通过水热法合成得到二维片层的SnS2纳米催化剂，之后真空烘干得到黄色粉末状。再将得到的SnS2纳米催化剂分散在含有四氯化锡和三氯化锑的水溶液中，再次通过水热工艺得到复合型的Sb‑SnO2/SnS2异质结纳米颗粒。该催化剂具有球状的纳米花结构，能够实现光催化剂对紫外光、可见光到近红外光的有效吸收，增强了光催化剂利用太阳光降解有机废水的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119446691B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510025979.6
申请日：2025-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体桥电流防护领域，具体涉及一种基于二氧化钒厚膜热敏电阻的半导体桥电流防护方法。先在氧化铝陶瓷基底上，沉积生长铜、镍、金叉指电极，接着在加热的叉指电极表面喷涂乙酰丙酮氧钒的甲醇溶液，获得二氧化钒热敏电阻器件，与半导体桥并联，实现半导体桥热敏电阻电流防护。本发明通过调整合成方法和工艺可以合成价态较为单一的二氧化钒，实现在叉指电极上一步合成了M相二氧化钒，这种方法制备的二氧化钒避免了先制备二氧化钒粉末，然后移植在叉指电极表面的繁琐工艺，还可以使二氧化钒更稳固的结合在叉指电极表面。
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公开(公告)号：CN113718201B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110989559.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C18/12 , C02F1/461 , C02F101/16 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种长寿命钛基氧化锡阳电极及其制备方法和应用。该电极是通过在钛基底上依次沉积金属钽涂层、Sb掺杂氧化锡涂层得到。该电极不仅具有很长的使用寿命，高析氧电位～2.0V(参比标氢电极电位)，而且还具有良好的导电性能。采用该阳电极进行电化学降解治理工业污水，能够去除COD和氨氮。
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公开(公告)号：CN111654287A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010455147.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开一种高精度16bit相位量化模数转换器。电路结构包括依次串接的输入预放大单元、加权分压网络、单端转差分放大单元、比较器阵列、LVDS输出缓冲模块，以及片上偏置电路；片上偏置电路为输入预放大单元、单端转差分放大单元、比较器阵列、LVDS输出缓冲模块提供偏置。所述的比较器阵列由8个比较器、4个冗余比较器构成。本发明提供的16bit相位量化ADC结构，通过增加冗余比较器的方法，避免了加权信号在进入比较器时幅度受不同负载情况影响而导致交点移位，进而相位区间失真的情况发生，进一步提到了16bit相位量化ADC的性能。
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公开(公告)号：CN105261665A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510772304.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 陈阿青
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/068 , H01L31/02363 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法。该电池从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N+掺杂层、背电极层；所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层；N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。该方法利用光刻等微加工工艺制备周期性有序倒置四棱台结构盲孔矩阵阵列；利用磁控溅射方法制备导电减反射层；丝网印刷技术制备日型前电极；这种电极的受光面是周期性有序的倒置四棱台结构的盲孔阵列，这种特殊阵列能够使得该电池吸收90﹪以上的可见光。
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公开(公告)号：CN113718201A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110989559.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C18/12 , C02F1/461 , C02F101/16 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种长寿命钛基氧化锡阳电极及其制备方法和应用。该电极是通过在钛基底上依次沉积金属钽涂层、Sb掺杂氧化锡涂层得到。该电极不仅具有很长的使用寿命，高析氧电位～2.0V(参比标氢电极电位)，而且还具有良好的导电性能。采用该阳电极进行电化学降解治理工业污水，能够去除COD和氨氮。
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