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公开(公告)号：CN115125560B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202210669141.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/075 , C25B1/04 , C03C17/22 , C01G15/00
Abstract: 本发明公开了一种β相硫化铟微米片阵列的制备方法，S10，将导电玻璃依次放入丙酮、无水乙醇、去离子水、无水乙醇中超声清洗，取出自然晾干；S20，将预定量的硫脲和氯化铟溶于去离子水和无水乙醇的混合溶液中，使用磁子搅拌器搅拌后备用；S30，将S10中处理后的导电玻璃放入等离子体清洗器中处理，在清洗有效时间内在导电玻璃导电面的一端贴上胶带；S40，将导电玻璃放入水热釜内胆中，转移S20得到的溶液至水热釜内胆中，进行水热反应，反应结束后自然冷却至室温，取出样品，清洗干燥后得到生长在导电玻璃表面的β相硫化铟微米片阵列。本发明在纳米片阵列的表面也可以提供丰富的活性位点，促进光生载流子参与反应，加强材料的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN115424866A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211064231.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，包括以下步骤：导电衬底清洗；获得前体溶液；制得ZnIn2S4同质结光电极：将清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相放入水热釜内胆中；加入前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极。本发明通过一步溶剂热法在导电衬底上直接生长ZnIn2S4同质结光电极，促进光生载流子的高效分离，显著提升光电极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN115125560A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210669141.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/075 , C25B1/04 , C03C17/22 , C01G15/00
Abstract: 本发明公开了一种β相硫化铟微米片阵列的制备方法，S10，将导电玻璃依次放入丙酮、无水乙醇、去离子水、无水乙醇中超声清洗，取出自然晾干；S20，将预定量的硫脲和氯化铟溶于去离子水和无水乙醇的混合溶液中，使用磁子搅拌器搅拌后备用；S30，将S10中处理后的导电玻璃放入等离子体清洗器中处理，在清洗有效时间内在导电玻璃导电面的一端贴上胶带；S40，将导电玻璃放入水热釜内胆中，转移S20得到的溶液至水热釜内胆中，进行水热反应，反应结束后自然冷却至室温，取出样品，清洗干燥后得到生长在导电玻璃表面的β相硫化铟微米片阵列。本发明在纳米片阵列的表面也可以提供丰富的活性位点，促进光生载流子参与反应，加强材料的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN115424866B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211064231.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，包括以下步骤：导电衬底清洗；获得前体溶液；制得ZnIn2S4同质结光电极：将清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相放入水热釜内胆中；加入前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极。本发明通过一步溶剂热法在导电衬底上直接生长ZnIn2S4同质结光电极，促进光生载流子的高效分离，显著提升光电极的光电化学性能。
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